English

4H-N HPSI SiC wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaxial wafer mo MOS SBD ranei

4H-N HPSI SiC angiangi 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaxial angiangi mo te MOS, SBD ranei te Whakaahua Whakaaturanga
  • 4H-N HPSI SiC wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaxial wafer mo MOS SBD ranei
  • 4H-N HPSI SiC wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaxial wafer mo MOS SBD ranei
  • 4H-N HPSI SiC wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaxial wafer mo MOS SBD ranei
  • 4H-N HPSI SiC wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaxial wafer mo MOS SBD ranei
  • 4H-N HPSI SiC wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaxial wafer mo MOS SBD ranei

Whakaahuatanga Poto:

Wafer Diameter Momo SiC Kōeke Nga tono
2-inihi 4H-N
4H-SEMI（HPSI）
6H-N
6H-P
3C-N		 Prime（Whakaputa）
Porekau
Rangahau		 Te hikohiko hiko, nga taputapu RF
3-inihi 4H-N
4H-SEMI（HPSI）
6H-P
3C-N		 Prime（Whakaputa）
Porekau
Rangahau		 Te kaha whakahou, aerospace
4-inihi 4H-N
4H-SEMI（HPSI）
6H-P
3C-N		 Prime（Whakaputa）
Porekau
Rangahau		 Nga miihini ahumahi, nga tono auau-nui
6-inihi 4H-N
4H-SEMI（HPSI）
6H-P
3C-N		 Prime（Whakaputa）
Porekau
Rangahau		 Automotive, huringa mana
8-inihi 4H-N
4H-SEMI（HPSI）		 Prime（Production） MOS/SBD
Porekau
Rangahau		 Nga waka hiko, nga taputapu RF
12-inihi 4H-N
4H-SEMI（HPSI）		 Prime（Whakaputa）
Porekau
Rangahau		 Te hikohiko hiko, nga taputapu RF

Ngā āhuatanga

Momo-N Taipitopito &tutohi

HPSI Taipitopito &tutohi

Epitaxial wafer Taipitopito &tutohi

Uiui&A

SiC Substrate SiC Epi-wafer Poto

Ka whakaekea e matou he kopaki katoa o nga taputapu SiC kounga teitei me nga angiangi sic i roto i nga polytypes maha me nga tohu doping-tae atu ki te 4H-N (momo momo-n), 4H-P (p-momo conductive), 4H-HPSI (he parakore teitei-iti), me te 6H-P (p-momo conductive) -i roto i nga diameters, me te 6″ katoa, mai i te 4″ katoa, mai i te 4″. 12″. I tua atu i nga taputapu karekau, ka tukuna e a maatau ratonga whakatipu angiangi epi te uara taapiri (epi) nga angiangi me te matotoru (1–20 µm), te kukū doping, me te kiato hapa.

Ko ia angiangi angiangi me te angiangi epi ka kaha ki te tirotiro-a-raina (kiato micropipe <0.1 cm⁻², te taratara o te mata Ra <0.2 nm) me te tohu hiko katoa (CV, mahere parenga) kia pai ai te rite o te karaihe me te mahi. Ahakoa e whakamahia ana mo nga waahanga hikohiko hiko, whakakaha RF auau-nui, he taputapu optoelectronic ranei (LED, photodetectors), ko ta maatau taputapu SiC me nga raina hua wafer epi e tuku ana i te pono, te pumau o te waiariki, me te kaha pakaru e hiahiatia ana e nga tono tino nui o enei ra.

SiC Substrate 4H-N nga ahuatanga me te tono

  • 4H-N SiC substrate Polytype (Hexagonal) Hanganga

Ko te aputa whanui o ~3.26 eV e whakarite ana i te mahi hiko me te pakari o te waiariki i raro i nga ahuatanga o te waahi-nui me nga waahi hiko-hiko.

  • Tïpako SiCN-Momo Doping

Ko te hauota doping e whakahaere tika ana ka puta te kuhanga kawe mai i te 1×10¹⁶ ki te 1×10¹⁹ cm⁻³ me nga nekehanga irahiko irahiko-ruma-mahana ki runga ki te ~900 cm²/V·s, ka whakaiti i te ngaronga kawe.

  • Tïpako SiCWhanui Aroturuki & Whakariterite

Kei te waatea te awhe parenga o te 0.01–10 Ω·cm me te matotoru angiangi o te 350–650 µm me te ±5% te manawanui i roto i te doping me te matotoru—he pai mo te hanga taputapu mana-kaha.

  • Tïpako SiCUltra-Hakaiti Koha kiato

Ko te kiato micropipe <0.1 cm⁻² me te kiato dislocation base-plane < 500 cm⁻², e tuku ana > 99% te hua o te taputapu me te tino tika o te karaihe.

  • Tïpako SiCTe Kawenga Weariki Tino

Ko te kawe werawera tae atu ki te ~370 W/m·K ka pai te tango wera, te whakanui i te pono o te taputapu me te kiato mana.

  • Tïpako SiCNga Tono Whainga

SiC MOSFETs, Schottky diodes, kōwae hiko me nga taputapu RF mo nga taraiwa hiko-waka, hurihanga ra, puku ahumahi, punaha hiko, me etahi atu maakete hiko-hiko.

6inihi 4H-N momo SiC wafer's specification
Taonga Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
Kōeke Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
Diamita 149.5 mm - 150.0 mm 149.5 mm - 150.0 mm
Poly-momo 4H 4H
Te matotoru 350 µm ± 15 µm 350 µm ± 25 µm
Takotoranga Wafer Tuaka atu: 4.0° ki te <1120> ± 0.5° Tuaka atu: 4.0° ki te <1120> ± 0.5°
Kiatotanga Micropipe ≤ 0.2 cm² ≤ 15 cm²
Te ātete 0.015 - 0.024 Ω·cm 0.015 - 0.028 Ω·cm
Kaupapa Papatahi Tuatahi [10-10] ± 50° [10-10] ± 50°
Te Roa Papatahi Tuatahi 475 mm ± 2.0 mm 475 mm ± 2.0 mm
Whakakorenga Tapa 3 mm 3 mm
LTV/TIV / Kopere / Warp ≤ 2.5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm
Te taratara Ra Polish ≤ 1 nm Ra Polish ≤ 1 nm
CMP Ra ≤ 0.2 nm ≤ 0.5 nm
Nga Kapiti Tapa Na Te Maama Nui Te roa whakaemi ≤ 20 mm te roa kotahi ≤ 2 mm Te roa whakaemi ≤ 20 mm te roa kotahi ≤ 2 mm
Nga Pereti Hex Na Te Maama Nui Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 0.1%
Nga Waahanga Polytype Ma te Maama Maama Nui Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 3%
Nga Whakauru Wao Ataata Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 5%
Nga Rakuraku o te Mata Silicon Na Te Maama Nui Roa whakahiato ≤ 1 te angiangi angiangi
Tapahi Tapa Na Te Maama Kaha Teitei Kore e whakaaetia ≥ 0.2 mm te whanui me te hohonu 7 whakaaetia, ≤ 1 mm ia
Wehenga Tiu Miro <500 cm³ <500 cm³
Ko te Whakakino o te Mata o Silicon Na te Maama Maama Nui
Te takai Ripene Angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei Ripene Angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei

 

8inihi 4H-N momo SiC wafer's whakaingoatanga
Taonga Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
Kōeke Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
Diamita 199.5 mm - 200.0 mm 199.5 mm - 200.0 mm
Poly-momo 4H 4H
Te matotoru 500 µm ± 25 µm 500 µm ± 25 µm
Takotoranga Wafer 4.0° ki te <110> ± 0.5° 4.0° ki te <110> ± 0.5°
Kiatotanga Micropipe ≤ 0.2 cm² ≤ 5 cm²
Te ātete 0.015 - 0.025 Ω·cm 0.015 - 0.028 Ω·cm
Takotoranga rangatira
Whakakorenga Tapa 3 mm 3 mm
LTV/TIV / Kopere / Warp ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm
Te taratara Ra Polish ≤ 1 nm Ra Polish ≤ 1 nm
CMP Ra ≤ 0.2 nm ≤ 0.5 nm
Nga Kapiti Tapa Na Te Maama Nui Te roa whakaemi ≤ 20 mm te roa kotahi ≤ 2 mm Te roa whakaemi ≤ 20 mm te roa kotahi ≤ 2 mm
Nga Pereti Hex Na Te Maama Nui Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 0.1%
Nga Waahanga Polytype Ma te Maama Maama Nui Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 3%
Nga Whakauru Wao Ataata Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 5%
Nga Rakuraku o te Mata Silicon Na Te Maama Nui Roa whakahiato ≤ 1 te angiangi angiangi
Tapahi Tapa Na Te Maama Kaha Teitei Kore e whakaaetia ≥ 0.2 mm te whanui me te hohonu 7 whakaaetia, ≤ 1 mm ia
Wehenga Tiu Miro <500 cm³ <500 cm³
Ko te Whakakino o te Mata o Silicon Na te Maama Maama Nui
Te takai Ripene Angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei Ripene Angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei

 

4h-n sic wafer's application_副本

 

Ko te 4H-SiC he rauemi mahi nui e whakamahia ana mo te hikohiko hiko, nga taputapu RF, me nga tono wera-nui. Ko te "4H" e tohu ana ki te hanganga karaihe, he hexagonal, a ko te "N" he tohu mo te momo doping e whakamahia ana hei arotau i te mahi o te rauemi.

Ko te4H-SiCKa whakamahia te momo mo:

Hiko Hiko:Ka whakamahia i roto i nga taputapu penei i nga diodes, MOSFET, me nga IGBT mo nga hiko hiko waka, miihini ahumahi, me nga punaha hiko whakahou.
Hangarau 5G:Na te tono a 5G mo nga waahanga tere-tere me te tino kaha, ko te kaha o SiC ki te hapai i nga ngaohiko teitei me te mahi i nga pāmahana teitei he pai mo nga whakakaha hiko teihana turanga me nga taputapu RF.
Pūnaha Pūngao Solar:He pai rawa atu nga taonga whakahaere hiko a SiC mo nga kaihurihuri whakaahua me nga kaitahuri.
Nga Waka Hiko (EV):Kei te whakamahia nuitia te SiC i roto i nga hiko hiko EV mo te hurihanga kaha ake, te whakaputa wera iti, me te teitei o te mana.

SiC Substrate 4H Semi-Insulating momo āhuatanga me te tono

Āhuatanga:

    • Nga tikanga whakahaere kiato kore-micropipe: Ka whakarite i te kore o nga micropipes, te whakapai ake i te kounga o te tïpako.

       

    • Nga tikanga whakahaere Monocrystalline: Ka whakamanahia he hanganga karaihe kotahi mo nga taonga taonga whakarei.

       

    • Nga tikanga whakahaere whakauru: Whakaitihia te noho mai o nga poke me nga whakaurunga, me te whakarite i te taputapu parakore.

       

    • Nga tikanga whakahaere parenga: Ka taea te whakahaere tika i te parenga hiko, he mea nui mo te mahi taputapu.

       

    • Ko nga tikanga poke me nga tikanga whakahaere: Ka whakarite me te whakawhäiti i te whakaurunga o nga poke kia mau tonu te tika o te tïpako.

       

    • Nga tikanga whakahaere whanui taahiraa papaa: Ka whakarato i te mana tika ki runga i te whanui o te hikoi, me te whakarite kia rite tonu puta noa i te tïpako

 

6inihi 4H-semi SiC tïpako whakaritenga
Taonga Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
Diamita (mm) 145 mm - 150 mm 145 mm - 150 mm
Poly-momo 4H 4H
Mātotoru (um) 500 ± 15 500 ± 25
Takotoranga Wafer I runga tuaka: ±0.0001° I runga tuaka: ±0.05°
Kiatotanga Micropipe ≤ 15 cm-2 ≤ 15 cm-2
Ātete (Ωcm) ≥ 10E3 ≥ 10E3
Kaupapa Papatahi Tuatahi (0-10)° ± 5.0° (10-10)° ± 5.0°
Te Roa Papatahi Tuatahi Kaniwha Kaniwha
Tapa Whakakore (mm) ≤ 2.5 µm / ≤ 15 µm ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm
LTV / Bowl / Warp ≤ 3 µm ≤ 3 µm
Te taratara Ra Polish ≤ 1.5 µm Ra Polish ≤ 1.5 µm
Tapahi Tapa Na Te Maama Kaha Teitei ≤ 20 µm ≤ 60 µm
Nga Pereti Whakawera Ma te Maama Kaha Teitei Huihuinga ≤ 0.05% Huihuinga ≤ 3%
Nga Waahanga Polytype Ma te Maama Maama Nui Nga Whakauru Wao Ataata ≤ 0.05% Huihuinga ≤ 3%
Nga Rakuraku o te Mata Silicon Na Te Maama Nui ≤ 0.05% Huihuinga ≤ 4%
Ko nga maramara Tapa Ma te Maama Kaha Teitei (Rahi) Kaore e Whakaaetia > 02 mm te whanui me te hohonu Kaore e Whakaaetia > 02 mm te whanui me te hohonu
Te Whakawhanaketanga Tiu Awhina ≤ 500 µm ≤ 500 µm
Ko te Whakakino o te Mata o Silicon Na te Maama Maama Nui ≤ 1 x 10^5 ≤ 1 x 10^5
Te takai Ripene angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei Ripene angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei

4-inihi 4H-Semi Insulating SiC Substrate Whakatakotoranga

Tawhā Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
Āhuatanga ā-tinana
Diamita 99.5 mm – 100.0 mm 99.5 mm – 100.0 mm
Poly-momo 4H 4H
Te matotoru 500 μm ± 15 μm 500 μm ± 25 μm
Takotoranga Wafer I te tuaka: <600h > 0.5° I te tuaka: <000h > 0.5°
Nga Taonga Hiko
Kiatotanga Micropipe (MPD) ≤1 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Te ātete ≥150 Ω·cm ≥1.5 Ω·cm
Nga Whakaaetanga Geometric
Kaupapa Papatahi Tuatahi (0x10) ± 5.0° (0x10) ± 5.0°
Te Roa Papatahi Tuatahi 52.5 mm ± 2.0 mm 52.5 mm ± 2.0 mm
Te Roa Papatahi Tuarua 18.0 mm ± 2.0 mm 18.0 mm ± 2.0 mm
Takotoranga Papatahi Tuarua 90° CW mai i Prime flat ± 5.0° (Si anga ki runga) 90° CW mai i Prime flat ± 5.0° (Si anga ki runga)
Whakakorenga Tapa 3 mm 3 mm
LTV / TTV / Kopere / Warp ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm
Kounga Mata
Rirokenga Mata (Ra Porangi) ≤1 nm ≤1 nm
Rirokenga Mata (CMP Ra) ≤0.2 nm ≤0.2 nm
Nga Kapiti Tapa (Te Maama-Teitei) Kaore e whakaaetia Te roa whakaemi ≥10 mm, kapiti kotahi ≤2 mm
Nga hapa o te Papa Hexagonal ≤0.05% te horahanga whakahiato ≤0.1% te horahanga whakahiato
Nga waahi whakauru polytype Kaore e whakaaetia ≤1% te horahanga whakahiato
Nga Whakauru Wao Ataata ≤0.05% te horahanga whakahiato ≤1% te horahanga whakahiato
Nga pakaru o te Mata Silicon Kaore e whakaaetia ≤1 te angiangi diameter whakahiato roa
Tipi Tipi Kore e whakaaetia (≥0.2 mm te whanui/hohonu) ≤5 maramara (ia ≤1 mm)
Whakakino Mata Silicon Kaore i tohua Kaore i tohua
Te takai
Te takai Ripene angiangi maha, ipu angiangi kotahi ranei Ripene angiangi maha ranei


Taupānga:

Ko teSiC 4H Nga taputapu Semi-InsulatingKei te whakamahia tuatahi i roto i nga taputapu hiko teitei me te auau teitei, ina koa i roto i teRF mara. He mea nui enei taputapu mo nga momo tono tae atu kinga punaha whakawhitiwhiti ngaruiti, radar huānga wāhanga, anga taputapu hiko ahokore. Ko te kaha o te waiariki me nga ahuatanga hiko pai e pai ana mo te tono tono i roto i te hikohiko hiko me nga punaha korero.

HPSI sic wafer-application_副本

 

SiC epi wafer 4H-N momo me te tono

SiC 4H-N Momo Epi Wafer Ahuatanga me nga tono

 

Nga ahuatanga o te SiC 4H-N Momo Epi Wafer:

 

Hanga Rauemi:

SiC (Silicon Carbide): E mohiotia ana mo tona tino pakeke, te kaha o te waiariki, me nga taonga hiko pai, he pai a SiC mo nga taputapu hiko teitei.
4H-SiC Polytype: Ko te polytype 4H-SiC e mohiotia ana mo tona kaha nui me te pumau i roto i nga tono hiko.
N-momo Doping: N-momo doping (doped with hauota) e whakarato ana i te nekehanga irahiko tino pai, e pai ai te SiC mo nga tono auau-nui me te kaha-kaha.

 

 

Kawenga Weariki teitei:

Ko nga angiangi SiC he pai ake te kawe werawera, mai i te nuinga120–200 W/m·K, ka taea e ratou te whakahaere tika i te wera i roto i nga taputapu kaha-nui penei i nga transistors me nga diodes.

Mokowhiti Whanui:

With a bandgap of3.26 eV, Ka taea e te 4H-SiC te mahi i nga ngaohiko teitei ake, nga iarere, me te mahana i whakaritea ki nga taputapu-a-siliconi tuku iho, he mea pai mo nga mahi tino pai, he mahi nui.

 

Āhuatanga Hiko:

Ko te nekeneke irahiko teitei me te kawe a SiC he pai mohiko hiko, te tuku i nga tere whakawhiti tere me te kaha o te waa me te ngaohiko whakahaere, ka whai hua ake nga punaha whakahaere hiko.

 

 

Ātete Miihini me te Matū:

Ko te SiC tetahi o nga rawa tino uaua, tuarua ki te taimana, he tino atete ki te waikura me te waikura, ka mau tonu ki nga taiao kino.

 

 

Nga tono mo te SiC 4H-N Momo Epi Wafer:

 

Hiko Hiko:

SiC 4H-N momo angiangi epi e whakamahia whanuitia ana i rotonga MOSFET kaha, Nga IGBT, angohemohurihanga manai roto i nga punaha peneihurihanga solar, waka hiko, apūnaha rokiroki pūngao, e tuku ana i te mahi whakarei me te kaha o te kaha.

 

Nga Waka Hiko (EV):

In nga waka hiko hiko, nga kaiwhakahaere motuka, ateihana utu, Ka awhina nga wafers SiC ki te whakatutuki i te pai o te pākahiko, te utu tere, me te pai ake o te mahi o te kaha na te kaha ki te hapai i te mana teitei me te mahana.

Pūnaha Pūngao Whakahōu:

Hurihuri solar: Ka whakamahia nga angiangi SiC ki rotopūnaha pūngao kōmarumo te huri i te mana DC mai i nga panui solar ki te AC, te whakanui ake i te pai o te punaha me te mahi.
Turbine Hau: Kei te whakamahia te hangarau SiC i rotonga punaha whakahaere hau, te whakapai ake i te whakaputa hiko me te kaha o te huringa.

Aerospace me te Parenga:

He pai te angiangi SiC mo te whakamahi i rotohikohiko aerospaceatono hoia, tae atu kinga punaha radarahikohiko amiorangi, he mea tino nui te aukati iraruke me te pumau waiariki.

 

 

Nga Taupānga Whakamahana-Teitei me te Auautanga teitei:

Ko nga angiangi SiC he pai rawa atuhiko teitei-mahana, whakamahia i roto inga miihini rererangi, waka ātea, apūnaha whakawera ahumahi, i a ratou e pupuri ana i nga mahi i roto i nga ahuatanga wera nui. I tua atu, ka taea e to raatau waahi whanui te whakamahi i rototono auau teiteiriteNga taputapu RFanga korero ngaruiti.

 

 

6-inihi N-momo epit tohu axial
Tawhā wae Z-MOS
Momo Kawenga / Dopant - Momo-N / Nitrogen
Paparanga Pūreirei Te Matotoru o te Papa um 1
Whakaaetanga Matotoru Paparanga Papa % ±20%
Te Puawai Paparanga cm-3 1.00E+18
Te Whakaaetanga Whakakotahitanga Paparanga % ±20%
Paparanga Epi 1 Te Matotoru Paparanga Epi um 11.5
Te Tauritenga Matotoru Paparanga Epi % ±4%
Whakaaetanga Matotoru o nga Paparanga Epi((Spec-
Mōrahi ，Min)/Tautuhi)		 % ±5%
Epi Layer Concentration cm-3 1E 15~ 1E 18
Epi Layer Concentration Tolerance % 6%
Te Tauritenga Whakakotahitanga Paparanga Epi (σ
/mean)		 % ≤5%
Te Tauritenga Whakakotahitanga Paparanga Epi
<(max-min)/(mihi+mene>		 % ≤ 10%
Hanga Wafer Epitaixal Kopere um ≤±20
WARP um ≤30
TTV um ≤ 10
LTV um ≤2
Nga ahuatanga whanui Te roa o te pakaru mm ≤30mm
Tipi Tipi - KORE
Te whakamaramatanga o nga hapa ≥97%
（I ine ki te 2*2，
Ko nga koha whakamate kei roto: Ko nga hapa kei roto
Micropipe / Nga rua nui, Carrot, Tapatoru
Te poke whakarewa ngota/cm² d f f ll i
≤5E10 ngota/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
Hg,Na,K, Ti, Ca &Mn)
Mōkī Whakatakotoranga tarapi pcs/pouaka rīpene angiangi maha, ipu angiangi kotahi ranei

 

 

 

 

8-inihi tohu epitaxial momo N
Tawhā wae Z-MOS
Momo Kawenga / Dopant - Momo-N / Nitrogen
Paparanga parepare Te Matotoru o te Papa um 1
Whakaaetanga Matotoru Paparanga Papa % ±20%
Te Puawai Paparanga cm-3 1.00E+18
Te Whakaaetanga Whakakotahitanga Paparanga % ±20%
Paparanga Epi 1 Wawaenga Matotoru o nga Paparanga Epi um 8~ 12
Tauritenga Matotoru Paparanga Epi (σ/mean) % ≤2.0
Whakaaetanga Matotoru o nga Paparanga Epi((Tautuhi -Max，Min)/Tautuhi) % ±6
Epi Layers Net Wawaenga Doping cm-3 8E+15 ~2E+16
Tauritenga Doping Kupenga Epi (σ/mean) % ≤5
Epi Layers Net DopingTolerance((Spec -Max， % ± 10.0
Hanga Wafer Epitaixal Mi )/S )
Warp		 um ≤50.0
Kopere um ± 30.0
TTV um ≤ 10.0
LTV um ≤4.0 (10mm×10mm)
Whānui
Nga ahuatanga		 Nga karawarawa - Roa whakahiato≤ 1/2Wafer diameter
Tipi Tipi - ≤2 maramara, Ia radius≤1.5mm
Te Whakakino Mata ngota/cm2 ≤5E10 ngota/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
Hg,Na,K, Ti, Ca &Mn)
Te Tirohanga Koha % ≥ 96.0
(2X2 He koha kei roto Micropipe / rua nui,
Karoti, He koha tapatoru, Nga takahanga,
Raina/IGSF-s, BPD)
Te Whakakino Mata ngota/cm2 ≤5E10 ngota/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
Hg,Na,K, Ti, Ca &Mn)
Mōkī Whakatakotoranga tarapi - rīpene angiangi maha, ipu angiangi kotahi ranei

 

 

 

 

Uiui a SiC wafer

Q1: He aha nga painga matua o te whakamahi i nga wafers SiC i runga i nga wafers silicon tuku iho i roto i te hiko hiko?

A1:
Ko nga angiangi SiC he maha nga painga nui mo nga wafers (Si) tuku iho i roto i te hikohiko hiko, tae atu ki:

Te Kairangi Teitei: Ko te SiC he whanui ake te aputa roopu (3.26 eV) ka whakaritea ki te silicon (1.1 eV), ka taea e nga taputapu te mahi i nga ngaohiko teitei ake, nga iarere, me te mahana. Ma tenei ka iti ake te ngaro o te hiko me te kaha ake o nga punaha hurihanga hiko.
Te Waahanga Teitei: Ko te kaha o te waiariki a SiC he teitei ake i tera o te silicon, e pai ake ai te tohanga wera i roto i nga tono hiko teitei, e pai ake ai te pono me te roa o te oranga o nga taputapu hiko.
Te Ngaohiko Teitei ake me te Whakahaere o naianei: Ka taea e nga taputapu SiC te whakahaere i nga ngaohiko teitei ake me nga taumata o naianei, e pai ana mo nga tono hiko-nui penei i nga waka hiko, nga punaha hiko whakahou, me nga taraiwa motuka ahumahi.
Tere Whakawhiti Tere: He tere ake te whakawhiti o nga taputapu SiC, e whai waahi ana ki te whakaheke i te ngaronga o te kaha me te rahi o te punaha, he pai mo nga tono auau-nui.

 

Q2: He aha nga tono matua o nga wafers SiC i roto i te ahumahi miihini?

A2:
I roto i te umanga miihini, ka whakamahia nga wafers SiC i roto i:

Nga Waka Hiko (EV) Powertrains: Ko nga waahanga e rite ana ki te SiCwhakahurihurianga MOSFET kahawhakapai ake i te kaha me te mahi o nga hiko hiko hiko ma te whakahoaho i nga tere whakawhiti tere me te kaha ake o te kaha. Ma tenei ka roa ake te ora o te pākahiko me te pai ake o te mahi waka.
Nga Kaitohu o runga Poari: Ka awhina nga taputapu SiC ki te whakapai ake i te pai o nga punaha utu i runga i te poari ma te whakahoaho i nga waa utu tere me te pai ake o te whakahaere waiariki, he mea nui mo nga EV ki te tautoko i nga teihana utu hiko teitei.
Pūnaha Whakahaere Pūhiko (BMS): Ko te hangarau SiC te whakapai ake i te kaha opūnaha whakahaere pākahiko, kia pai ake te whakahaere ngaohiko, teitei ake te whakahaere mana, me te roa o te ora o te pākahiko.
Kaihurihuri DC-DC: Ka whakamahia nga angiangi SiC ki rotoKaitahuri DC-DCkia pai ake te huri i te hiko DC ngaohiko teitei ki te hiko DC ngaohiko iti, he mea tino nui i roto i nga waka hiko ki te whakahaere hiko mai i te pākahiko ki nga momo waahanga o te waka.
Ko te mahi pai a SiC i roto i te ngaohiko teitei, te wera-nui, me te tino kaha o nga tono he mea nui mo te whakawhiti a te umanga miihini ki te neke hiko.

 

  • Tōmua:
  • Panuku:

    • 6inihi 4H-N momo SiC wafer's specification
    Taonga Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
    Kōeke Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
    Diamita 149.5 mm – 150.0 mm 149.5 mm – 150.0 mm
    Poly-momo 4H 4H
    Te matotoru 350 µm ± 15 µm 350 µm ± 25 µm
    Takotoranga Wafer Tuaka atu: 4.0° ki te <1120> ± 0.5° Tuaka atu: 4.0° ki te <1120> ± 0.5°
    Kiatotanga Micropipe ≤ 0.2 cm² ≤ 15 cm²
    Te ātete 0.015 – 0.024 Ω·cm 0.015 – 0.028 Ω·cm
    Kaupapa Papatahi Tuatahi [10-10] ± 50° [10-10] ± 50°
    Te Roa Papatahi Tuatahi 475 mm ± 2.0 mm 475 mm ± 2.0 mm
    Whakakorenga Tapa 3 mm 3 mm
    LTV/TIV / Kopere / Warp ≤ 2.5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm
    Te taratara Ra Polish ≤ 1 nm Ra Polish ≤ 1 nm
    CMP Ra ≤ 0.2 nm ≤ 0.5 nm
    Nga Kapiti Tapa Na Te Maama Nui Te roa whakaemi ≤ 20 mm te roa kotahi ≤ 2 mm Te roa whakaemi ≤ 20 mm te roa kotahi ≤ 2 mm
    Nga Pereti Hex Na Te Maama Nui Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 0.1%
    Nga Waahanga Polytype Ma te Maama Maama Nui Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 3%
    Nga Whakauru Wao Ataata Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 5%
    Nga Rakuraku o te Mata Silicon Na Te Maama Nui Roa whakahiato ≤ 1 te angiangi angiangi
    Tapahi Tapa Na Te Maama Kaha Teitei Kore e whakaaetia ≥ 0.2 mm te whanui me te hohonu 7 whakaaetia, ≤ 1 mm ia
    Wehenga Tiu Miro <500 cm³ <500 cm³
    Ko te Whakakino o te Mata o Silicon Na te Maama Maama Nui
    Te takai Ripene Angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei Ripene Angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei

     

    8inihi 4H-N momo SiC wafer's whakaingoatanga
    Taonga Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
    Kōeke Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
    Diamita 199.5 mm – 200.0 mm 199.5 mm – 200.0 mm
    Poly-momo 4H 4H
    Te matotoru 500 µm ± 25 µm 500 µm ± 25 µm
    Takotoranga Wafer 4.0° ki te <110> ± 0.5° 4.0° ki te <110> ± 0.5°
    Kiatotanga Micropipe ≤ 0.2 cm² ≤ 5 cm²
    Te ātete 0.015 – 0.025 Ω·cm 0.015 – 0.028 Ω·cm
    Takotoranga rangatira
    Whakakorenga Tapa 3 mm 3 mm
    LTV/TIV / Kopere / Warp ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm
    Te taratara Ra Polish ≤ 1 nm Ra Polish ≤ 1 nm
    CMP Ra ≤ 0.2 nm ≤ 0.5 nm
    Nga Kapiti Tapa Na Te Maama Nui Te roa whakaemi ≤ 20 mm te roa kotahi ≤ 2 mm Te roa whakaemi ≤ 20 mm te roa kotahi ≤ 2 mm
    Nga Pereti Hex Na Te Maama Nui Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 0.1%
    Nga Waahanga Polytype Ma te Maama Maama Nui Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 3%
    Nga Whakauru Wao Ataata Horahanga whakahiato ≤ 0.05% Horahanga whakahiato ≤ 5%
    Nga Rakuraku o te Mata Silicon Na Te Maama Nui Roa whakahiato ≤ 1 te angiangi angiangi
    Tapahi Tapa Na Te Maama Kaha Teitei Kore e whakaaetia ≥ 0.2 mm te whanui me te hohonu 7 whakaaetia, ≤ 1 mm ia
    Wehenga Tiu Miro <500 cm³ <500 cm³
    Ko te Whakakino o te Mata o Silicon Na te Maama Maama Nui
    Te takai Ripene Angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei Ripene Angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei

    6inihi 4H-semi SiC tïpako whakaritenga
    Taonga Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
    Diamita (mm) 145 mm – 150 mm 145 mm – 150 mm
    Poly-momo 4H 4H
    Mātotoru (um) 500 ± 15 500 ± 25
    Takotoranga Wafer I runga tuaka: ±0.0001° I runga tuaka: ±0.05°
    Kiatotanga Micropipe ≤ 15 cm-2 ≤ 15 cm-2
    Ātete (Ωcm) ≥ 10E3 ≥ 10E3
    Kaupapa Papatahi Tuatahi (0-10)° ± 5.0° (10-10)° ± 5.0°
    Te Roa Papatahi Tuatahi Kaniwha Kaniwha
    Tapa Whakakore (mm) ≤ 2.5 µm / ≤ 15 µm ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm
    LTV / Bowl / Warp ≤ 3 µm ≤ 3 µm
    Te taratara Ra Polish ≤ 1.5 µm Ra Polish ≤ 1.5 µm
    Tapahi Tapa Na Te Maama Kaha Teitei ≤ 20 µm ≤ 60 µm
    Nga Pereti Whakawera Ma te Maama Kaha Teitei Huihuinga ≤ 0.05% Huihuinga ≤ 3%
    Nga Waahanga Polytype Ma te Maama Maama Nui Nga Whakauru Wao Ataata ≤ 0.05% Huihuinga ≤ 3%
    Nga Rakuraku o te Mata Silicon Na Te Maama Nui ≤ 0.05% Huihuinga ≤ 4%
    Ko nga maramara Tapa Ma te Maama Kaha Teitei (Rahi) Kaore e Whakaaetia > 02 mm te whanui me te hohonu Kaore e Whakaaetia > 02 mm te whanui me te hohonu
    Te Whakawhanaketanga Tiu Awhina ≤ 500 µm ≤ 500 µm
    Ko te Whakakino o te Mata o Silicon Na te Maama Maama Nui ≤ 1 x 10^5 ≤ 1 x 10^5
    Te takai Ripene angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei Ripene angiangi-maha, Ipu Angiangi Kotahi ranei

     

    4-inihi 4H-Semi Insulating SiC Substrate Whakatakotoranga

    Tawhā Kore MPD Koeke Whakaputa (Keke Z) Kōeke Dummy (Kōeke D)
    Āhuatanga ā-tinana
    Diamita 99.5 mm – 100.0 mm 99.5 mm – 100.0 mm
    Poly-momo 4H 4H
    Te matotoru 500 μm ± 15 μm 500 μm ± 25 μm
    Takotoranga Wafer I te tuaka: <600h > 0.5° I te tuaka: <000h > 0.5°
    Nga Taonga Hiko
    Kiatotanga Micropipe (MPD) ≤1 cm⁻² ≤15 cm⁻²
    Te ātete ≥150 Ω·cm ≥1.5 Ω·cm
    Nga Whakaaetanga Geometric
    Kaupapa Papatahi Tuatahi (0×10) ± 5.0° (0×10) ± 5.0°
    Te Roa Papatahi Tuatahi 52.5 mm ± 2.0 mm 52.5 mm ± 2.0 mm
    Te Roa Papatahi Tuarua 18.0 mm ± 2.0 mm 18.0 mm ± 2.0 mm
    Takotoranga Papatahi Tuarua 90° CW mai i Prime flat ± 5.0° (Si anga ki runga) 90° CW mai i Prime flat ± 5.0° (Si anga ki runga)
    Whakakorenga Tapa 3 mm 3 mm
    LTV / TTV / Kopere / Warp ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm
    Kounga Mata
    Rirokenga Mata (Ra Porangi) ≤1 nm ≤1 nm
    Rirokenga Mata (CMP Ra) ≤0.2 nm ≤0.2 nm
    Nga Kapiti Tapa (Te Maama-Teitei) Kaore e whakaaetia Te roa whakaemi ≥10 mm, kapiti kotahi ≤2 mm
    Nga hapa o te Papa Hexagonal ≤0.05% te horahanga whakahiato ≤0.1% te horahanga whakahiato
    Nga waahi whakauru polytype Kaore e whakaaetia ≤1% te horahanga whakahiato
    Nga Whakauru Wao Ataata ≤0.05% te horahanga whakahiato ≤1% te horahanga whakahiato
    Nga pakaru o te Mata Silicon Kaore e whakaaetia ≤1 te angiangi diameter whakahiato roa
    Tipi Tipi Kore e whakaaetia (≥0.2 mm te whanui/hohonu) ≤5 maramara (ia ≤1 mm)
    Whakakino Mata Silicon Kaore i tohua Kaore i tohua
    Te takai
    Te takai Ripene angiangi maha, ipu angiangi kotahi ranei Ripene angiangi maha ranei

     

    6-inihi N-momo epit tohu axial
    Tawhā wae Z-MOS
    Momo Kawenga / Dopant - Momo-N / Nitrogen
    Paparanga Pūreirei Te Matotoru o te Papa um 1
    Whakaaetanga Matotoru Paparanga Papa % ±20%
    Te Puawai Paparanga cm-3 1.00E+18
    Te Whakaaetanga Whakakotahitanga Paparanga % ±20%
    Paparanga Epi 1 Te Matotoru Paparanga Epi um 11.5
    Te Tauritenga Matotoru Paparanga Epi % ±4%
    Whakaaetanga Matotoru o nga Paparanga Epi((Spec-
    Mōrahi ，Min)/Tautuhi)    		 % ±5%
    Epi Layer Concentration cm-3 1E 15~ 1E 18
    Epi Layer Concentration Tolerance % 6%
    Te Tauritenga Whakakotahitanga Paparanga Epi (σ
    /mean)    		 % ≤5%
    Te Tauritenga Whakakotahitanga Paparanga Epi
    <(max-min)/(mihi+mene>    		 % ≤ 10%
    Hanga Wafer Epitaixal Kopere um ≤±20
    WARP um ≤30
    TTV um ≤ 10
    LTV um ≤2
    Nga ahuatanga whanui Te roa o te pakaru mm ≤30mm
    Tipi Tipi - KORE
    Te whakamaramatanga o nga hapa ≥97%
    （I ine ki te 2*2，
    Ko nga koha whakamate kei roto: Ko nga hapa kei roto
    Micropipe / Nga rua nui, Carrot, Tapatoru
    Te poke whakarewa ngota/cm² d f f ll i
    ≤5E10 ngota/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
    Hg,Na,K, Ti, Ca &Mn)
    Mōkī Whakatakotoranga tarapi pcs/pouaka rīpene angiangi maha, ipu angiangi kotahi ranei

     

    8-inihi tohu epitaxial momo N
    Tawhā wae Z-MOS
    Momo Kawenga / Dopant - Momo-N / Nitrogen
    Paparanga parepare Te Matotoru o te Papa um 1
    Whakaaetanga Matotoru Paparanga Papa % ±20%
    Te Puawai Paparanga cm-3 1.00E+18
    Te Whakaaetanga Whakakotahitanga Paparanga % ±20%
    Paparanga Epi 1 Wawaenga Matotoru o nga Paparanga Epi um 8~ 12
    Tauritenga Matotoru Paparanga Epi (σ/mean) % ≤2.0
    Whakaaetanga Matotoru o nga Paparanga Epi((Tautuhi -Max，Min)/Tautuhi) % ±6
    Epi Layers Net Wawaenga Doping cm-3 8E+15 ~2E+16
    Tauritenga Doping Kupenga Epi (σ/mean) % ≤5
    Epi Layers Net DopingTolerance((Spec -Max， % ± 10.0
    Hanga Wafer Epitaixal Mi )/S )
    Warp    		 um ≤50.0
    Kopere um ± 30.0
    TTV um ≤ 10.0
    LTV um ≤4.0 (10mm×10mm)
    Whānui
    Nga ahuatanga    		 Nga karawarawa - Roa whakahiato≤ 1/2Wafer diameter
    Tipi Tipi - ≤2 maramara, Ia radius≤1.5mm
    Te Whakakino Mata ngota/cm2 ≤5E10 ngota/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
    Hg,Na,K, Ti, Ca &Mn)
    Te Tirohanga Koha % ≥ 96.0
    (2X2 He koha kei roto Micropipe / rua nui,
    Karoti, He koha tapatoru, Nga takahanga,
    Raina/IGSF-s, BPD)
    Te Whakakino Mata ngota/cm2 ≤5E10 ngota/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
    Hg,Na,K, Ti, Ca &Mn)
    Mōkī Whakatakotoranga tarapi - rīpene angiangi maha, ipu angiangi kotahi ranei

    Q1: He aha nga painga matua o te whakamahi i nga wafers SiC i runga i nga wafers silicon tuku iho i roto i te hiko hiko?

    A1:
    Ko nga angiangi SiC he maha nga painga nui mo nga wafers (Si) tuku iho i roto i te hikohiko hiko, tae atu ki:

    Te Kairangi Teitei: Ko te SiC he whanui ake te aputa roopu (3.26 eV) ka whakaritea ki te silicon (1.1 eV), ka taea e nga taputapu te mahi i nga ngaohiko teitei ake, nga iarere, me te mahana. Ma tenei ka iti ake te ngaro o te hiko me te kaha ake o nga punaha hurihanga hiko.
    Te Waahanga Teitei: Ko te kaha o te waiariki a SiC he teitei ake i tera o te silicon, e pai ake ai te tohanga wera i roto i nga tono hiko teitei, e pai ake ai te pono me te roa o te oranga o nga taputapu hiko.
    Te Ngaohiko Teitei ake me te Whakahaere o naianei: Ka taea e nga taputapu SiC te whakahaere i nga ngaohiko teitei ake me nga taumata o naianei, e pai ana mo nga tono hiko-nui penei i nga waka hiko, nga punaha hiko whakahou, me nga taraiwa motuka ahumahi.
    Tere Whakawhiti Tere: He tere ake te whakawhiti o nga taputapu SiC, e whai waahi ana ki te whakaheke i te ngaronga o te kaha me te rahi o te punaha, he pai mo nga tono auau-nui.

     

     

    Q2: He aha nga tono matua o nga wafers SiC i roto i te ahumahi miihini?

    A2:
    I roto i te umanga miihini, ka whakamahia nga wafers SiC i roto i:

    Nga Waka Hiko (EV) Powertrains: Ko nga waahanga e rite ana ki te SiCwhakahurihurianga MOSFET kahawhakapai ake i te kaha me te mahi o nga hiko hiko hiko ma te whakahoaho i nga tere whakawhiti tere me te kaha ake o te kaha. Ma tenei ka roa ake te ora o te pākahiko me te pai ake o te mahi waka.
    Nga Kaitohu o runga Poari: Ka awhina nga taputapu SiC ki te whakapai ake i te pai o nga punaha utu i runga i te poari ma te whakahoaho i nga waa utu tere me te pai ake o te whakahaere waiariki, he mea nui mo nga EV ki te tautoko i nga teihana utu hiko teitei.
    Pūnaha Whakahaere Pūhiko (BMS): Ko te hangarau SiC te whakapai ake i te kaha opūnaha whakahaere pākahiko, kia pai ake te whakahaere ngaohiko, teitei ake te whakahaere mana, me te roa o te ora o te pākahiko.
    Kaihurihuri DC-DC: Ka whakamahia nga angiangi SiC ki rotoKaitahuri DC-DCkia pai ake te huri i te hiko DC ngaohiko teitei ki te hiko DC ngaohiko iti, he mea tino nui i roto i nga waka hiko ki te whakahaere hiko mai i te pākahiko ki nga momo waahanga o te waka.
    Ko te mahi pai a SiC i roto i te ngaohiko teitei, te wera-nui, me te tino kaha o nga tono he mea nui mo te whakawhiti a te umanga miihini ki te neke hiko.

     

     

    Hua e Pa ana

    Tuhia to korero ki konei ka tukuna mai ki a matou
    Patua tomo ki te rapu, ESC ranei hei kati