SiC silicon carbide angiangi SiC angiangi 4H-N 6H-N HPSI（Te parakore Semi-Insulating ） 4H/6H-P 3C -n momo 2 3 4 6 8inihi e waatea ana

Whakaahuatanga Poto:

Ka whakaekea e matou he momo momo angiangi SiC (Silicon Carbide) kounga teitei, me te aro nui ki nga momo angiangi N-momo 4H-N me 6H-N, he pai mo nga tono i roto i te optoelectronics matatau, nga taputapu hiko, me nga taiao-teitei. . Ko enei momo angiangi N-momo e mohiotia ana mo o raatau hikoi wera, tino pai te pumau o te hiko, me te mau tonu, ka tino pai mo nga tono mahi nui penei i te hikohiko hiko, nga punaha taraiwa waka hiko, nga whakahuri hiko hou, me nga taputapu hiko ahumahi. I tua atu i o maatau momo N-momo tuku, ka whakaratohia ano e matou he momo P-momo 4H / 6H-P me te 3C SiC wafers mo nga hiahia motuhake, tae atu ki nga taputapu teitei me te RF, me nga tono whakaahua. Kei te waatea a matou wafers i roto i nga rahi mai i te 2 inihi ki te 8 inihi, a ka whakaratohia e matou he otinga kua rite ki te whakatutuki i nga whakaritenga motuhake o nga momo waahanga ahumahi. Mo etahi atu korero, patai ranei, tena koa whakapiri mai ki a maatau.

Tukuna he imeera ki a matou

Taipitopito Hua

Tohu Hua

Āhuatanga

4H-N me 6H-N (N-momo SiC Wafers)

Taupānga:I whakamahia tuatahi i roto i te hikohiko hiko, optoelectronics, me nga tono pāmahana teitei.

Awhe Diamita:50.8 mm ki te 200 mm.

Mātotoru:350 μm ± 25 μm, me te kōwhiringa mātotoru o 500 μm ± 25 μm.

Te ātete:N-momo 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z-kōeke), ≤ 0.3 Ω·cm (P-kōeke); N-momo 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·cm (Z-kōeke), ≤ 1 mΩ·cm (P-kōeke).

taratara:Ra ≤ 0.2 nm (CMP MP ranei).

Kiatotanga Micropipe (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm mō ngā diameter katoa.

Warp: ≤ 30 μm (≤ 45 μm mō ngā angiangi 8-inihi).

Tapa Whakakore:3 mm ki te 6 mm i runga i te momo angiangi.

Whakapaipai:Ripene angiangi maha, ipu angiangi kotahi ranei.

Ohter rahi e waatea ana 3inihi 4inihi 6inihi 8inihi

HPSI (Nga Wafers SiC Waahanga Maama-Teitei Maama)

Taupānga:Ka whakamahia mo nga taputapu e hiahia ana kia kaha te aukati me te mahi pumau, penei i nga taputapu RF, nga tono whakaahua, me nga puoro.

Awhe Diamita:50.8 mm ki te 200 mm.

Mātotoru:Paerewa matotoru o 350 μm ± 25 μm ki kōwhiringa mō te angiangi mātotoru ake ki te 500 μm.

taratara:Ra ≤ 0.2 nm.

Kiatotanga Micropipe (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Te ātete:Te ātete teitei, e whakamahia ana i roto i nga tono ahua-waitara.

Warp: ≤ 30 μm (mō ngā rahi iti ake), ≤ 45 μm mō ngā diameter nui ake.

TTV: ≤ 10 μm.

Ohter rahi e waatea ana 3inihi 4inihi 6inihi 8inihi

4H-P、6H-P&3C Angiangi SiC(P-momo SiC Wafers)

Taupānga:Ko te mea tuatahi mo nga taputapu hiko me te auau teitei.

Awhe Diamita:50.8 mm ki te 200 mm.

Mātotoru:350 μm ± 25 μm ranei kōwhiringa whakaritea.

Te ātete:P-momo 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z-kōeke), ≤ 0.3 Ω·cm (P-kōeke).

taratara:Ra ≤ 0.2 nm (CMP MP ranei).

Kiatotanga Micropipe (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Tapa Whakakore:3 mm ki te 6 mm.

Warp: ≤ 30 μm mō ngā rahi iti, ≤ 45 μm mō ngā rahi nui.

Ohter rahi e waatea ana 3inihi 4inihi 6inihi5×5 10×10

Ripanga Tawhā Raraunga Wahi

Taonga	2 inihi		3 inihi		4 inihi	6 inihi	8 inihi
Momo	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diamita	50.8 ± 0.3 mm		76.2±0.3mm		100±0.3mm	150±0.3mm	200 ± 0.3 mm
Te matotoru	330 ± 25 um		350 ±25 um		350 ±25 um	350 ±25 um	350 ±25 um
	350±25um；		500±25um		500±25um	500±25um	500±25um
	kua whakaritea ranei		kua whakaritea ranei		kua whakaritea ranei	kua whakaritea ranei	kua whakaritea ranei
Te taratara	Ra ≤ 0.2nm		Ra ≤ 0.2nm		Ra ≤ 0.2nm	Ra ≤ 0.2nm	Ra ≤ 0.2nm
Warp	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤45um
TTV	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
Karakura/Keri	CMP/MP
MPD	<1ea/cm-2	<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2
Hanga	Porowhita, Papatahi 16mm ；OF roa 22mm ; O TE Roa 30/32.5mm; O TE Roa47.5mm; KINI; KINI;
Bevel	45°, SEMI Spec; C Hanga
Kōeke	Koeke whakaputa mo MOS&SBD; Koeke rangahau ; Kōeke Dummy ,Kakano angiangi Kōeke
Nga korero	Ko te Diameter, Te Matotoru, te Whakaritenga, nga korero i runga ake nei ka taea te whakarite i runga i to tono

Nga tono

·Hiko Hiko

Ko nga momo angiangi SiC momo N he mea nui ki nga taputapu hiko hiko na te kaha ki te hapai i nga ngaohiko teitei me nga waa teitei. E whakamahia nuitia ana i roto i nga kaitahuri hiko, hurihuri, me nga motuka motuka mo nga umanga penei i te kaha whakahou, nga waka hiko, me te aunoatanga ahumahi.

· Optoelectronics
Ko nga rauemi SiC momo N, ina koa mo nga tono optoelectronic, ka whakamahia i roto i nga taputapu penei i nga diodes marama (LED) me nga diodes laser. Ko te kaha o te waiariki me te whanui whanui e pai ana mo nga taputapu optoelectronic tino mahi.

·Taupānga Teitei-Pamahana
Ko nga wafers 4H-N 6H-N SiC e tino pai ana mo nga taiao teitei-nui, penei i roto i nga puoro me nga taputapu hiko e whakamahia ana i roto i te waahi rererangi, te motuka, me nga tono ahumahi he mea nui te wera me te pumau i nga waahi teitei.

·Pūrere RF
Ka whakamahia nga wafers SiC 4H-N 6H-N i roto i nga taputapu reo irirangi (RF) e mahi ana i nga awhe teitei. Ka whakamahia i roto i nga punaha whakawhitiwhiti korero, hangarau radar, me nga korero amiorangi, kei reira te kaha o te kaha me te mahi.

·Nga tono Photonic
I roto i nga whakaahua, ka whakamahia nga angiangi SiC mo nga taputapu penei i nga kairapu whakaahua me nga tauira. Ko nga ahuatanga ahurei o te rauemi ka taea e ia te whai hua i roto i te whakatipu marama, te whakarereketanga, me te kitenga i roto i nga punaha whakawhitiwhiti whakaaro me nga taputapu whakaahua.

·Pūoko
Ka whakamahia nga angiangi SiC i roto i nga momo tono pukoro, ina koa ki nga taiao kino ka ngaro etahi atu rauemi. Kei roto i enei ko te pāmahana, te pehanga, me nga pūoko matū, he mea nui ki nga mara penei i te miihini, te hinu me te hau, me te tirotiro i te taiao.

·Nga Pūnaha Puku Waka Hiko
Ko te hangarau SiC he waahi nui ki nga waka hiko ma te whakapai ake i te pai me te mahi o nga punaha taraiwa. Ma nga miihini hiko SiC, ka taea e nga waka hiko te pai ake te ora o te pākahiko, te tere o te utu, me te pai ake o te kaha.

·Pūoko Arā Atu Ake me nga Kaihuri Whakaahua
I roto i nga hangarau puoro matatau, ka whakamahia nga angiangi SiC mo te hanga i nga pukoro tino tika mo nga tono i roto i nga miihini, nga taputapu rongoa, me te tirotiro i te taiao. I roto i nga kaitahuri whakaahua, ka whakamahia nga taonga a SiC kia pai ai te huri o te hiko hiko ki nga tohu whatu, he mea nui i roto i nga waea me nga hanganga ipurangi tere.

Uiui&A

Q：He aha te 4H i te 4H SiC?
A："4H" i roto i te 4H SiC e tohu ana ki te hanganga karaihe o te carbide silicon, ina koa he ahua hexagonal me nga papa e wha (H). Ko te "H" e tohu ana i te momo momo polytype hexagonal, e wehewehe ana i etahi atu momo polytypes SiC penei i te 6H, 3C ranei.

Q：He aha te werawera o te 4H-SiC?
A: Ko te kawe wera o te 4H-SiC (Silicon Carbide) he tata ki te 490-500 W/m·K i te pāmahana rūma. Ko te kaha o te waiariki e tino pai ana mo nga tono i roto i te hikohiko hiko me nga taiao teitei-te wera, he mea nui te tohanga wera pai.

Tōmua: Ko te hangahanga tika o te ngongo Sapphire ngongo maramara Al2O3 he karaehe kaahu-atete pakeke teitei EFG/KY nga momo oro oro ritenga

Panuku:

Tuhia to korero ki konei ka tukuna mai ki a matou