6inihi GaN-On-Sapphire
150mm 6inihi GaN i runga i te Silicon/Sapphire/SiC Epi-apa angiangi Kariora nitride epitaxial angiangi
Ko te 6-inihi te angiangi taputapu sapphire he rauemi semiconductor kounga teitei kei roto i nga papa o te gallium nitride (GaN) i whakatipuhia ki runga i te tïpako hapaira. He pai rawa nga taonga kawe hiko o te rauemi, he pai hoki mo te hanga i nga taputapu semiconductor hiko teitei me te auau teitei.
Tikanga hangahanga: Ko te mahi whakangao ko te whakatipu i nga paparanga GaN i runga i te tïpako hapira ma te whakamahi i nga tikanga matatau penei i te whakangao matū matū-waona (MOCVD) me te epitaxy kurupae ngota (MBE). Ka mahia te tukanga waipara i raro i nga tikanga whakahaere hei whakarite i te kounga teitei o te karaihe me te kiriata rite.
6inihi GaN-On-Sapphire tono: 6-inihi maramara tïpako sapphire e whakamahia nuitia ana i roto i nga whakawhitiwhiti ngaruiti, nga punaha radar, hangarau ahokore me te optoelectronics.
Ko etahi tono noa kei roto
1. Rf kaha whakakaha
2. Ahumahi rama rama
3. Nga taputapu whakawhitiwhiti whatunga ahokore
4. Nga taputapu hiko i roto i te taiao teitei
5. Nga taputapu Optoelectronic
Nga whakaritenga hua
- Rahi: Ko te diameter o te tïpako he 6 inihi (tata ki te 150 mm).
- Te kounga o te mata: Ko te mata kua tino orohia hei whakarato i te kounga whakaata pai.
- Matotoru: Ko te matotoru o te paparanga GaN ka taea te whakarite kia rite ki nga whakaritenga motuhake.
- Whakapaipai: Ka whakakiia te taputapu ki nga taonga anti-static hei aukati i te kino i te wa e kawe ana.
- Nga tapa tuunga: He tapa tuunga motuhake te tïpako hei whakaahuru i te tirohanga me te mahi i te wa e takatu ana te taputapu.
- Ētahi atu tawhā: Ko nga tawhā motuhake penei i te angiangi, te parenga me te kukū doping ka taea te whakatika kia rite ki nga whakaritenga a nga kaihoko.
Na o raatau rawa taonga me nga tono rereke, 6-inihi sapphire substrate wafers he whiringa pono mo te whakawhanaketanga o nga taputapu semiconductor tino mahi i roto i nga momo ahumahi.
Te papanga | 6” 1mm <111> momo-p Si | 6” 1mm <111> momo-p Si |
Epi ThickAvg | ~5um | ~7um |
Epi ThickUnif | <2% | <2% |
Kopere | +/-45um | +/-45um |
Ngatata | <5mm | <5mm |
BV Poutū | >1000V | >1400V |
HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
HEMT ThickAvg | 20-30nm | 20-30nm |
Insitu SiN Cap | 5-60nm | 5-60nm |
2DEG conc. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
Te nekeneke | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
Rsh | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |