6 Inihi Whakaheke SiC Composite Substrate 4H Diameter 150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm

6 Inihi Conductive SiC Composite Substrate 4H Diameter 150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm Whakaaturanga Whakaahua

Whakaahuatanga Poto:

Na te whai a te ahumahi semiconductor ki te mahi teitei ake me te utu iti, kua puta te 6-inihi conductive SiC hiato tïpako. Na roto i te hangarau hiato rauemi auaha, ka eke tenei angiangi 6-inihi te 85% o te mahi o nga wafers 8-inihi tuku iho i te 60% anake te utu. Ko nga taputapu hiko i roto i nga tono o ia ra penei i nga teihana utu waka hiko hou, nga waahanga hiko teihana turanga 5G, tae atu ki nga taraiwa rereke-auau i roto i nga taputapu kaainga moni kei te whakamahi i nga taputapu o tenei momo. Ko ta maatau hangarau tipu epitaxial paparanga-maha kua araihia e taea ai nga atanga hiato-ngota-taumata-ngota i runga i nga turanga SiC, me te kiato ahua atanga kei raro iho i te 1×10¹¹/cm²·eV – he tohu kua eke ki nga taumata rangatira o te ao.

Tukuna he imeera ki a matou

Taipitopito Hua

Tohu Hua

Tawhā Hangarau

Nga taonga	Whakaputakōeke	Porekaukōeke
Diamita	6-8 inihi	6-8 inihi
Mātotoru	350/500±25.0 μm	350/500±25.0 μm
Polytype	4H	4H
Te ātete	0.015-0.025 ohm·cm	0.015-0.025 ohm·cm
TTV	≤5 μm	≤20 μm
Warp	≤35 μm	≤55 μm
Tuhinga o mua (Si-mata) taratara	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)

Nga waahanga matua

1.Painga Utu: Ko ta tatou 6-inihi whakahaere SiC tïpako hiato e whakamahi ana i te hangarau "paparanga paparanga tohu" rangatira e arotau ana i te hanganga rauemi hei whakaiti i nga utu rauemi mata ma te 38% me te pupuri i nga mahi hiko pai. Ko nga inenga tuturu e whakaatu ana ko nga taputapu 650V MOSFET e whakamahi ana i tenei tïpako ka eke ki te 42% te whakahekenga o te utu mo ia waahanga waahanga ka whakatauritea ki nga otinga tikanga, he mea nui mo te whakatairanga i te tango taputapu SiC i roto i te hikohiko kaihoko.
2.Excellent Conductive Properties: Na roto i nga tukanga whakahaere doping hauota tika, to tatou 6-inihi conductive SiC hiato tïpako tutuki ultra-iti parenga o 0.012-0.022Ω·cm, ki te rerekē te whakahaere i roto i ± 5%. Otirā, ka mau tonu matou i te riterite o te parenga tae noa ki roto i te rohe tapa 5mm o te angiangi, hei whakaoti i te raru o te taha taha roa i roto i te umanga.
3.Thermal Mahinga: He kōwae 1200V/50A whakawhanakehia te whakamahi i to tatou tïpako whakaatu anake 45 ℃ pāmahana junction piki ake i runga ambient i te mahi kawenga tonu - 65 ℃ iti iho i nga whakaaro hanga-silicon rite. Ka taea tenei e to tatou "3D waiariki hongere" hangahanga hiato e whakapai ake ana i te taha ki te 380W/m·K me te kawe waiariki poutū ki te 290W/m·K.
4.Process Hototahi: Mo te hanganga ahurei o te 6-inihi conductive SiC hiato substrates, i whakawhanakehia e matou he riterite puku puku taiaho dicing tukanga whakatutuki 200mm/s tere tapahi i te whakahaere i te tapatapahi mata i raro 0.3μm. I tua atu, ka tukuna e matou nga whiringa taapiri i mua i te nickel-plated e taea ai te honohono mate tika, ka whakaora i nga kaihoko e rua nga mahi.

Nga Tono Matua

Taputapu Matiti Ataata Tino:

I roto i nga punaha tuku ngaohiko tino teitei (UHVDC) e whakahaere ana i te ± 800kV, ko nga taputapu IGCT e whakamahi ana i a maatau taputapu hiato SiC 6-inihi kawe e whakaatu ana i nga whakareiatanga mahi whakamiharo. Ko enei taputapu ka eke ki te 55% te whakahekenga o te whakarereke i nga mate i te wa o nga huringa whakawhiti, me te piki haere o te kaha o te punaha ki te neke atu i te 99.2%. Ko te pai o te kawe waiariki o nga taputapu (380W/m·K) ka taea e nga hoahoa kaitahuri kiato e whakaiti ana i te tapuwae teihana ma te 25% ka whakaritea ki nga rongoaa-a-kirika.

Nga hikohiko waka hiko hou:

Ko te punaha taraiwa e whakauru ana i a maatau 6-inihi te kawe i nga taputapu hiato SiC ka tutuki te kaha o te mana inverter o mua o te 45kW/L - he 60% te whakapai ake i o raatau hoahoa 400V o mua. Ko te mea whakamiharo, kei te pupuri te punaha i te 98% te kaha puta noa i te katoa o te pāmahana whakahaere mai i te -40 ℃ ki te + 175 ℃, hei whakaoti i nga wero o te rangi-makariri i whakararu i te whakatamarikitanga EV i nga whenua o te raki. Ko nga whakamatautau o te ao e whakaatu ana he 7.5% te pikinga o te awhe hotoke mo nga waka e mau ana ki tenei hangarau.

Puku Auautanga Ahumahi:

Ko te tangohanga o a maatau taputapu i roto i nga waahanga hiko mohio (IPMs) mo nga punaha servo ahumahi kei te huri i te miihini whakangao. I roto i nga pokapū miihini CNC, ka tukuna e enei waahanga te 40% tere ake te whakautu motuka (whakaiti i te wa whakatere mai i te 50ms ki te 30ms) i te wa e tapahia ana te haruru hiko e 15dB ki te 65dB(A).

Hiko Kaihoko:

Kei te haere tonu te hurihanga hikohiko kaihoko me o taatau taputapu e taea ai te whakatipuranga 65W GaN tere tere. Ko enei taapiri hiko kiato ka eke ki te 30% te whakaheke o te rōrahi (ki raro ki te 45cm³) i te wa e mau tonu ana te whakaputanga hiko, na te pai o nga ahuatanga whakawhiti o nga hoahoa-a-SiC. Ka whakaatuhia e te whakamaarama whakamaarama te teitei o te pāmahana o te keehi 68°C i te wa e mahi tonu ana - 22°C te makariri ake i nga hoahoa tikanga - ka tino whakapai ake i te roanga o te hua me te haumaru.

Ratonga Whakaritea XKH

Ka whakarato a XKH i te tautoko whakaritenga matawhānui mo nga taputapu hiato SiC 6-inihi conductive:

Whakaritenga Matotoru: Ko nga whiringa tae atu ki te 200μm, 300μm, me nga whakaritenga 350μm
2. Mana Whakatairanga: Te kukū doping momo n te whakarite mai i te 1×10¹⁸ ki te 5×10¹⁸ cm⁻³

3. Tikanga Kiriata: Tautoko mo nga tuunga maha tae atu ki te (0001) tuaka-atu 4° ranei 8°

4. Ratonga Whakamatau: Whakaotia nga purongo whakamatautau tawhā taumata angiangi

Ko ta matou wa arahi i naianei mai i te mahi tauira ki te hanga papatipu ka poto te 8 wiki. Mo nga kaihoko rautaki, ka tukuna e matou nga ratonga whanaketanga tukanga whakatapua ki te whakarite kia rite ki nga whakaritenga taputapu.