4inihi SiC Epi wafer mo MOS SBD ranei

Ko te Epitaxy e pa ana ki te tipu o te paparanga o te papanga karaihe kotahi te kounga teitei ake i runga i te mata o te taputapu carbide silicon. I roto i a ratou, ko te tipu o te paparanga epitaxial gallium nitride i runga i te tïpako carbide silicon insulating ka kiia he epitaxy heterogeneous; ko te tipu o te paparanga epitaxial silicon carbide i runga i te mata o te tïpako carbide silicon conductive ka kiia ko te epitaxy homogeneous.

Ko te Epitaxial i runga i nga whakaritenga hoahoa taputapu mo te tipu o te paparanga mahi matua, ko te nuinga o te waa e whakatau ana i te mahi o te maramara me te taputapu, te utu o te 23%. Ko nga tikanga matua o te epitaxy kiriata angiangi SiC i tenei waahanga ko: te whakangao kohu matū (CVD), te epitaxy kurupae ngota (MBE), te epitaxy wahanga wai (LPE), me te whakahekenga laser me te whakaheke (PLD).

Ko te Epitaxy he hononga tino nui ki te umanga katoa. Ma te whakatipu i nga paparanga epitaxial GaN i runga i nga taputapu carbide silicon insulating, ka hangaia nga wafers epitaxial epitaxial i runga i te carbide silicon, ka taea ano te hanga ki nga taputapu GaN RF penei i nga transistors nekeneke hiko teitei (HEMTs);

Ma te whakatipu i te paparanga epitaxial silicon carbide i runga i te taputapu kawe hei tiki i te wafer epitaxial silicon carbide, me te paparanga epitaxial i runga i te hanga o nga diodes Schottky, nga transistors haurua-mara te koura-hauora, nga transistors bipolar kuaha me etahi atu taputapu hiko, no reira ko te kounga o te epitaxial i runga i te mahi a te taputapu he tino nui te mahi o te mahi a te taputapu.