4H-N 4 inihi SiC tïpako angiangi Silicon Carbide Production Dummy Koeke Rangahau

4-inihi silicon carbide kotahi karaihe tïpako angiangi diameter o 4 inihi (mo 101.6mm), mata mutu ake ki Ra <0.5 nm, matotoru o 600±25 μm. Ko te kawe o te angiangi he momo N, momo P ranei ka taea te whakarite kia rite ki nga hiahia o nga kaihoko. I tua atu, ko te maramara he pai te pumau miihini, ka taea te tu atu i te nui o te pehanga me te wiri.

inihi silicon carbide kotahi karaihe tïpako angiangi he rauemi tiketike-mahi whakamahia whānuitia i roto i semiconductor, rangahau me optoelectronics mara. He pai te kawe i te waiariki, te pumau o te miihini me te awangawanga teitei o te pāmahana, e tika ana mo te whakarite i nga taputapu hiko teitei me te rangahau o nga rawa hou. Ka whakaekea e matou nga momo whakaritenga me nga whiringa whakaritenga hei whakatutuki i nga momo hiahia a nga kaihoko. Tena koa whakarongo ki ta maatau papaanga motuhake ki te ako atu mo nga korero mo nga hua o nga wafers carbide silicon.

Ko nga mahi matua: Silicon carbide wafers, silicon carbide one crystal substrate wafers, 4 inihi, te kawe waiariki, te pumau o te miihini, te parenga teitei o te pāmahana, nga transistors hiko, nga hiko whakauru, nga waahanga hiko, nga rama, nga diodes laser, te whakaoti mata, te kawe, nga whiringa ritenga.